Herstellung und Charakterisierung von Photodioden auf der Basis von BeMgZnSe
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Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Physik - Angewandte Physik, Note: 2, Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Sprache: Deutsch, Abstract: Es ist wichtig, die UV-Bestrahlung des menschlichen Körpers zu kontrollieren und nötigenfalls zu beschränken. Kleine handliche Detektoren, die nur in diesem Spektralbereich empfindlich sind, würden dem Einzelnen eine Möglichkeit geben, jederzeit über diemomentane UV-Strahlenbelastung informiert zu sein. Weitere Anwendungen für UV-Detektoren sind denkbar zur Umweltanalyse oder auch in unwirtlichen Umgebungen, wie zur Überwac...
Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Physik - Angewandte Physik, Note: 2, Bayerische Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Sprache: Deutsch, Abstract: Es ist wichtig, die UV-Bestrahlung des menschlichen Körpers zu kontrollieren und nötigenfalls zu beschränken. Kleine handliche Detektoren, die nur in diesem Spektralbereich empfindlich sind, würden dem Einzelnen eine Möglichkeit geben, jederzeit über diemomentane UV-Strahlenbelastung informiert zu sein. Weitere Anwendungen für UV-Detektoren sind denkbar zur Umweltanalyse oder auch in unwirtlichen Umgebungen, wie zur Überwachung von Verbrennungsprozessen, bei denen immer UV-Emission auftritt, die aus der Emission von Verbrennungsprodukten (z.B. Stickstoff) stammt. Diese sind abhängig von der Temperatur. Durch die selektiveÜberwachung der UV-Emission ließe sich eine Verbrennung schadstoffarm regeln.UV-Halbleiterdetektoren bieten die Möglichkeit, die Größe optischer Bauteile zu verringern.Bisher wurden zur Detektion von UV-Strahlung Siliziumdetektoren mit vorgeschalteten Filtern verwendet, ein hoher Dunkelstrom und die Schwächung der Strahlung durch die Filter machen diese Detektoren aber sehr uneffektiv und oft ist eine Kühlung des Halbleitersnotwendig. Andere Detektoren sind Photomultiplier, aber auch diese benötigen Filter und immer Kühlung. Als vielversprechendes Material wird auch Galliumnitrid genannt, dessen Cut-off jedoch bei 365 nm liegt, wodurch man einen Teil des UV-A-Spektrums nichtdetektieren kann. Mittels Molekularstrahlepitaxie ist es in Würzburg gelungen, lichtemittierende Halbleiterbauelemente aus Beryllium-Chalkogeniden herzustellen [23] mit Bandlücken, die an der Grenze zwischen sichtbarem und ultraviolettem Licht liegen. In dieser Arbeit wird daher versucht, aus diesem Material p-i-n Photodetektoren herzustellen. Dazu wird im 1. und2. Kapitel die dazu nötige Theorie beschrieben sowie die praktischen Grundlagen vermittelt. Im 3. Kapitel werden dann alle Ergebnisse dieser Arbeit zusammengefaßt und erörtert.
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