
Kompozicionnoe wqzhuschee na osnowe sistemy CaO¿SO3¿SiO2¿H2O
Tehnologicheskie principy polucheniq
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
19,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
10 °P sammeln!
Predstavleny issledovaniya avtorov v oblasti tekhnologii sovremennykh vyazhushchikh veshchestv; privedeny eksperimental'nye dannye, izlozheny novye teoreticheskie i tekhnologicheskie pozitsii polucheniya kompozitsionnykh gipsovykh vyazhushchikh. V rezul'tate provedennykh issledovaniy, avtorami razrabotany nauchnye osnovy tekhnologii polucheniya bestsementnogo kompozitsionnogo gipsovogo vyazhushchego, zaklyuchayushchiesya v optimizatsii mikrostruktury tsementiruyushchego veshchestva i formirovanii bufernykh topotaksicheskikh epigeneticheskikh sul'fosilikatnykh nanosistem, chto pozvolyaet otseni...
Predstavleny issledovaniya avtorov v oblasti tekhnologii sovremennykh vyazhushchikh veshchestv; privedeny eksperimental'nye dannye, izlozheny novye teoreticheskie i tekhnologicheskie pozitsii polucheniya kompozitsionnykh gipsovykh vyazhushchikh. V rezul'tate provedennykh issledovaniy, avtorami razrabotany nauchnye osnovy tekhnologii polucheniya bestsementnogo kompozitsionnogo gipsovogo vyazhushchego, zaklyuchayushchiesya v optimizatsii mikrostruktury tsementiruyushchego veshchestva i formirovanii bufernykh topotaksicheskikh epigeneticheskikh sul'fosilikatnykh nanosistem, chto pozvolyaet otsenit' vzaimodeystvie elementov rassmatrivaemoy sistemy, prognozirovat' kharakter strukturoobrazovaniya i kontrolirovat' protsessy, proiskhodyashchie pri formirovanii struktury i ee samoorganizatsii.