Scattering Effects in SiNW Transistors A Future Device Modelling
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
15.12.2019
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
184
Maße (L/B/H)
22/15/1,2 cm
Gewicht
292 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-620-0-48358-4
This book "ANALYSIS OF CERTAIN SCATTERING EFFECTS IN SI NANOWIRE TRANSISTORS" derives the analytical drain current models for certain Scattered Silicon Nanowire MOSFET. Scattered Silicon Nanowire MOSFET is revealed which includes the effects of elastic scattering, optical phonon emission, surface roughness scattering, Discrete Random dopants and Temperature effects. These analytical models are validated by comparing their results with TCAD simulations.
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