Microscopy of Semiconducting Materials 1987, Proceedings of the Institute of Physics Conference, Oxford University, April 1987
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
01.10.1987
Verlag
Taylor and FrancisSeitenzahl
820
Maße (L/B/H)
24/16,1/4,8 cm
Gewicht
1474 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-0-85498-178-6
Microscopy of Semiconducting Materials 1987 highlights the progress that is being made in semiconductor microscopy, primarily in electron probe methods as well as in light optical and ion scattering techniques. The book covers the state of the art, with sections on high resolution microscopy, epitaxial layers, quantum wells and superlattices, bulk gallium arsenide and other compounds, properties of dislocations, device silicon and dielectric structures, silicides and contacts, device testing, x-ray techniques, microanalysis, and advanced scanning microscopy techniques.
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