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  • Produktbild: LPCVD Silicon Nitride and Oxynitride Films
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LPCVD Silicon Nitride and Oxynitride Films Material and Applications in Integrated Circuit Technology

Aus der Reihe Research Reports Esprit

49,99 €

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Beschreibung

Details

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

28.05.1991

Herausgeber

F.H.P.M. Habraken

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

159

Maße (L/B/H)

24,4/17/1 cm

Gewicht

309 g

Auflage

1991

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-540-53954-4

Beschreibung

Details

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

28.05.1991

Herausgeber

F.H.P.M. Habraken

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

159

Maße (L/B/H)

24,4/17/1 cm

Gewicht

309 g

Auflage

1991

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-540-53954-4

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • 1 Characterization of LPCVD Silicon Oxynitride Films.- Abstract.- I. Introduction.- II. Characterization Techniques.- III. Results and Discussion.- Bulk: Nitrogen, Oxygen and Chlorine.- Bulk: Hydrogen.- Interface: Oxygen and Nitrogen.- Interface: Hydrogen.- Structure.- IV. Concluding Remark.- References.- 2 Silicon Oxynitride Films: Ion Bombardment Effects, Depth Profiles, and Ionic Polarisation, Studied with the Aid of the Auger Parameter.- Abstract.- 1. Introduction.- 2. Experimental.- 3. Results.- Effects of Ion Bombardment.- Depth Profiling.- Line Widths and Shapes.- Auger Parameter Variation with O/(O+N).- 4. Discussion.- Ion Bombardment Effects and Ion Profiles.- Peak Widths.- Auger Parameter Variation.- 5. Conclusions.- References.- 3 Oxidation of Low Pressure Chemical Vapour Deposited Silicon Oxynitride Films.- Abstract.- I. Introduction.- II. Experimental.- Sample Preparation.- Oxygen Analysis.- Hydrogen Analysis.- III. Results.- Oxygen.- Hydrogen.- IV. Discussion.- Interface Reactions.- Oxidation Kinetics.- V. Conclusions.- References.- 4 Electrical Properties of LPCVD Silicon-Oxynitride Layers.- Abstract.- 1. Introduction.- 2. Sample Preparation.- 3. Charge Distribution in the Oxynitride Layer.- Measurement of the Charge Distribution.- One Step Deposited Layers.- Multi-step Deposited Layers.- 4. Interface Trap Density.- Interface Trap Density at Midgap.- Distribution of the Interface Trap Density.- Correlation between Dit and Qox.- Effect of the Oxynitride Deposition on the Interface Trap Density of an Underlying SiO2 Layer.- 5. Bulk Properties.- Relative Permittivity.- Charge Trapping.- Conduction.- Flatband Voltage-vs-Gate Voltage.- 6. Retention.- 7. Dielectric Integrity.- 8. Conclusions.- References.- 5 On the Correlation between the Electrical and Physico-Chemical Properties of LPCVD Silicon Oxynitride Films.- Abstract.- I. Introduction.- II. Summary of Experimental Results.- III. Discussion.- IV. The Model.- References.- 6 The Use of Oxynitride Layers in Non-volatile S-OxN-OS (Silicon-Oxynitride-Oxide-Silicon) Memory Devices.- Abstract.- 1. Introduction.- 2. Device Fabrication.- 3. Experimental Results and Discussion.- The Interface Trap Density.- Transient Behaviour.- Programming Voltages.- Retention Behaviour.- Endurance Behaviour.- Conclusions.- References.- 7 LPCVD Silicon Oxynitrides for LOCOS Isolation in CMOS Technology.- Abstract.- 1. Introduction.- 2. Experimental.- 3. Results and Discussion.- Patternability.- Ion Implant Blocking Efficiency.- Oxidation.- Birds’ Beak Formation.- Oxidation Induced Stacking Faults.- 4. Application to an Industrial Circuit Demonstrator.- Circuit Demonstrator.- Process.- Results.- 5. Conclusions.- References.